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반도체/전자부품
CSD75207W15
MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA
352원
(VAT 별도)-
제품번호
G000675797
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브랜드명
Texas Instruments
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제조사
Texas Instruments
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M.O.Q
1
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평균발송일
약 6일
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포장단위
테이프 및 릴(TR)
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판매단위
1
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배송비
3,000 (60,000원 이상 무료배송)
MOSFET - 어레이 3.9A 700mW 표면 실장 9-DSBGA
- 수량별단가
3000 ~ 5999 : 352원
6000 ~ 8999 : 324원
9000 ~ 14999 : 310원
15000 ~ 20999 : 294원
21000 ~ 29999 : 284원
30000 ~ : 284원
수량
총 주문 금액
352원
(VAT 포함) 387원
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| 항목 | 내용 |
|---|---|
| 제조업체 | Texas Instruments |
| 기술 | MOSFET(금속 산화물) |
| 구성 | P 채널(이중) 공통 소스 2개 |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | - |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.9A |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 162m옴 @ 1A, 1.8V |
| Vgs(th)(최대) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 3.7nC(4.5V) |
| 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 595pF @ 10V |
| 전력 - 최대 | 700mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 실장 유형 | 표면 실장 |
| 패키지/케이스 | 9-UFBGA, DSBGA |
| 공급 장치 패키지 | 9-DSBGA |
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